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IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON/英飛凌 表面貼裝型 N 通道 75 V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 單 FET，MOSFET | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | OptiMOS? | |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷帶 | |
Product Status | 在售 | |
FET 類(lèi)型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 75 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 30A（Tc） | |
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） | 20.5 毫歐 @ 25A，10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） | 2V @ 80μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） | 72 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） | 1650 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 136W（Tc） | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO252-3-11 | |
封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | IPD30N08 |
