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支持5nm工藝,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備利器研發(fā)成功!

來源:貼片電容 發(fā)布時(shí)間:2022-04-08 瀏覽:403

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察報(bào)道,中國(guó)長(zhǎng)城旗下鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院成功研發(fā)了支持5nm DBG工藝的全自動(dòng)12寸晶圓激光開槽設(shè)備。


圖片

圖源:中國(guó)長(zhǎng)城


芯片大師了解到,晶圓激光開槽設(shè)備應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié)。該設(shè)備除了具備常規(guī)激光開槽功能之外,還支持5nm DBG工藝、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圓廠IGBT工藝端相關(guān)制程和TAIKO超薄環(huán)切等各種工藝。


據(jù)中國(guó)長(zhǎng)城介紹,鄭州軌交院研發(fā)的晶圓激光開槽設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì),可支持不同脈寬(納秒、皮秒、飛秒)激光器。通過自主研發(fā)的光學(xué)系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)光斑寬度及長(zhǎng)度連續(xù)可調(diào),配合超高精度運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)等技術(shù),與激光隱切設(shè)備相輔相成,解決了激光隱切設(shè)備對(duì)表面材質(zhì)、厚度、晶向、電阻率的限制,實(shí)現(xiàn)工藝的全兼容,有助于控制產(chǎn)品破損率、提高芯片良率。


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